搭载SiC-SBD的IGBT混合模块
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状态:量产中
功率模块(SiC器件)
1200V, 200A, 搭载SiC-SBD的IGBT混合模块
特征
- 使用高性能芯片
- 与Si-IGBT模块产品的封装兼容
- 低功耗化
- 低电感化
用途
- 变频器
- NC、伺服系统
- UPS
设计规范
结构 | 2-Pack |
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VCES(V) 细节 | 1200 |
IC(A) 细节 | 200 |
Tvj max(℃) 细节 | 175 |
Tvjop max(℃) 细节 | 150 |
TC(℃) 细节 | 125 |
Tstg(℃) 细节 | -40 〜 125 |
封装 | M276 |
尺寸宽度(mm) | 62 |
尺寸长度(mm) | 108 |
重量(g) | 370 |
文档工具
产品信息 | IGBT混合型SiC模块 |
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应用手册 | SiC器件应用手册 |
选型手册 | IGBT/SiC选型手册 |
损耗模拟 |
Fuji IGBT Simulator Online Fuji IGBT Simulator (在线模拟软件) |